Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4C050APTR
RF4C050APTR

RF4C050APTR Rohm Semiconductor

rf4c050aptr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
416+28.03 грн
440+ 26.49 грн
442+ 26.39 грн
509+ 22.08 грн
1000+ 19.58 грн
2000+ 18.63 грн
3000+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 416
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4C050APTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RF4C050APTR за ціною від 14.55 грн до 49.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.83 грн
10+ 36.46 грн
100+ 25.26 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 16.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -20V -10A Middle Power MOSFET
на замовлення 4495 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.89 грн
10+ 41.1 грн
100+ 24.38 грн
500+ 20.39 грн
1000+ 17.34 грн
3000+ 15.68 грн
6000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c050aptr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+49.3 грн
250+ 47.32 грн
500+ 45.61 грн
1000+ 42.56 грн
2500+ 38.24 грн
Мінімальне замовлення: 237
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c050aptr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+49.3 грн
250+ 47.32 грн
500+ 45.61 грн
1000+ 42.56 грн
2500+ 38.24 грн
Мінімальне замовлення: 237
RF4C050APTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -20A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RF4C050APTR RF4C050APTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V
товар відсутній
RF4C050APTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4C050AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -20A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній