RF4C100BCTCR

RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor


rf4c100bctcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 5310 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
437+26.68 грн
469+ 24.84 грн
471+ 24.74 грн
559+ 20.12 грн
1000+ 17.59 грн
2000+ 16.8 грн
3000+ 15.97 грн
Мінімальне замовлення: 437
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RF4C100BCTCR за ціною від 18.07 грн до 58.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf4c100bctcr-e.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
277+42.08 грн
289+ 40.39 грн
500+ 38.93 грн
1000+ 36.32 грн
2500+ 32.63 грн
Мінімальне замовлення: 277
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.89 грн
10+ 44.7 грн
100+ 30.97 грн
500+ 24.28 грн
1000+ 20.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -20V -10A Middle Power MOSFET (Dimension: 2.0x2.0(t=0.6))
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.36 грн
10+ 50.34 грн
100+ 30.29 грн
500+ 25.31 грн
1000+ 21.59 грн
3000+ 19.13 грн
6000+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
RF4C100BCTCR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -36A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
товар відсутній
RF4C100BCTCR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -36A; 2W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 15.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній