Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E060AJTCR
RF4E060AJTCR

RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor

rf4e060ajtcr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
407+28.64 грн
424+ 27.49 грн
500+ 26.51 грн
1000+ 24.72 грн
2500+ 22.22 грн
Мінімальне замовлення: 407
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E060AJTCR за ціною від 13.55 грн до 43.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4E060AJTCR RF4E060AJTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E060AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.96 грн
10+ 34.18 грн
100+ 23.71 грн
500+ 18.59 грн
1000+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
RF4E060AJTCR RF4E060AJTCR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E060AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RF4E060AJ is low on-resistance and ?igh power small mold package MOSFET for switching application.
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.94 грн
10+ 37.51 грн
100+ 22.58 грн
500+ 18.93 грн
1000+ 16.08 грн
3000+ 13.88 грн
6000+ 13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
RF4E060AJTCR RF4E060AJTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E060AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товар відсутній