Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E070BNTR
RF4E070BNTR

RF4E070BNTR Rohm Semiconductor

rf4e070bntr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
368+31.68 грн
383+ 30.42 грн
500+ 29.32 грн
1000+ 27.35 грн
2500+ 24.57 грн
Мінімальне замовлення: 368
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E070BNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E070BNTR за ціною від 23.45 грн до 69.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4E070BNTR RF4E070BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.23 грн
10+ 49.89 грн
100+ 38.8 грн
500+ 30.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
RF4E070BNTR RF4E070BNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.2 грн
10+ 56.15 грн
100+ 38 грн
500+ 32.22 грн
1000+ 26.17 грн
3000+ 24.31 грн
6000+ 23.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
RF4E070BNTR RF4E070BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 15 V
товар відсутній