RF4E070GNTR

RF4E070GNTR Rohm Semiconductor


rf4e070gntr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
524+22.26 грн
543+ 21.46 грн
1000+ 20.76 грн
Мінімальне замовлення: 524
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E070GNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E070GNTR за ціною від 7.9 грн до 31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.74 грн
12+ 23.66 грн
100+ 16.44 грн
500+ 12.05 грн
1000+ 9.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31 грн
12+ 26.28 грн
100+ 15.94 грн
500+ 12.42 грн
1000+ 10.16 грн
3000+ 8.5 грн
9000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
RF4E070GNTR RF4E070GNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E070GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.4mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
товар відсутній