RF4E080BNTR

RF4E080BNTR Rohm Semiconductor


rf4e080bn-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
629+18.53 грн
632+ 18.43 грн
774+ 15.04 грн
1000+ 13.57 грн
2000+ 12.47 грн
3000+ 11.31 грн
Мінімальне замовлення: 629
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E080BNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E080BNTR за ціною від 11.8 грн до 50.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4e080bn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
521+22.38 грн
540+ 21.58 грн
1000+ 20.87 грн
2500+ 19.53 грн
Мінімальне замовлення: 521
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.71 грн
10+ 38.96 грн
100+ 26.95 грн
500+ 21.13 грн
1000+ 17.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 7262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.45 грн
10+ 43.85 грн
100+ 26.37 грн
500+ 21.99 грн
1000+ 18.73 грн
3000+ 16.08 грн
6000+ 15.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4E080BNTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+18.85 грн
25+ 15.85 грн
64+ 12.48 грн
176+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
RF4E080BNTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 2W; DFN2020-8S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-8S
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+22.62 грн
25+ 19.75 грн
64+ 14.98 грн
176+ 14.16 грн
3000+ 14.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
RF4E080BNTR RF4E080BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товар відсутній