Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RF4E110BNTR
RF4E110BNTR

RF4E110BNTR Rohm Semiconductor

rf4e110bn-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1112+10.48 грн
1154+ 10.09 грн
1177+ 9.9 грн
2000+ 9.45 грн
6000+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 1112
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF4E110BNTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: HUML2020L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RF4E110BNTR за ціною від 14.55 грн до 47.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : Rohm Semiconductor rf4e110bn-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
418+27.88 грн
436+ 26.76 грн
500+ 25.8 грн
1000+ 24.07 грн
2500+ 21.62 грн
Мінімальне замовлення: 418
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.11 грн
10+ 36.05 грн
100+ 24.94 грн
500+ 19.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.58 грн
10+ 40.56 грн
100+ 24.44 грн
500+ 20.46 грн
1000+ 17.74 грн
3000+ 15.48 грн
6000+ 14.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
RF4E110BNTR RF4E110BNTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E110BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
товар відсутній