RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 395+ | 29.49 грн |
| 425+ | 27.45 грн |
| 426+ | 27.36 грн |
| 505+ | 22.27 грн |
| 1000+ | 19.49 грн |
| 2000+ | 18.63 грн |
| 3000+ | 17.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.032 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.
Інші пропозиції RF4G060ATTCR за ціною від 19.1 грн до 68.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RF4G060ATTCR | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.032 ohm, DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4G060ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin HUML T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4G060ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RF4G060ATTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -40V -6A Power, DFN2020, MOSFET |
на замовлення 15695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RF4G060ATTCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RF4G060ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6 A, 0.032 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RF4G060ATTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6A; Idm: -24A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -6A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
RF4G060ATTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PCH -40V -6A POWER, DFN2020, MOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HUML2020L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RF4G060ATTCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -6A; Idm: -24A; 2W; DFN2020-8S Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -6A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-8S Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |