RF6C055BCTCR

RF6C055BCTCR ROHM Semiconductor


rf6c055bctcr-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -20V -5.5A Si MOSFET
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.64 грн
10+ 47.51 грн
100+ 31.75 грн
500+ 25.11 грн
1000+ 20.06 грн
3000+ 18.2 грн
9000+ 17.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RF6C055BCTCR ROHM Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -5.5A, Pulsed drain current: -18A, Power dissipation: 1W, Case: SOT363T, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 25.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 15.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції RF6C055BCTCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RF6C055BCTCR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rf6c055bctcr-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363T
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
RF6C055BCTCR RF6C055BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf6c055bctcr-e.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
товар відсутній
RF6C055BCTCR RF6C055BCTCR Виробник : Rohm Semiconductor rf6c055bctcr-e.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
товар відсутній
RF6C055BCTCR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rf6c055bctcr-e.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT363T
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній