Продукція > HARRIS CORPORATION > RFM3N45
RFM3N45

RFM3N45 Harris Corporation

HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
310+66.11 грн
Мінімальне замовлення: 310
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFM3N45 Harris Corporation

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RFM3N45

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFM3N45 Виробник : MOT HRISD017-4-613.pdf?t.download=true&u=5oefqw 01+ TO-3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)