Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RFN5BGE6STL
RFN5BGE6STL

RFN5BGE6STL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.26 грн
10+ 72.17 грн
100+ 56.1 грн
500+ 44.63 грн
1000+ 36.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFN5BGE6STL Rohm Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-252GE, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

Інші пропозиції RFN5BGE6STL за ціною від 33.28 грн до 99.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFN5BGE6STL RFN5BGE6STL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Diodes - General Purpose, Power, Switching SUPER FAST RECOVERY DIODE
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.2 грн
10+ 80.21 грн
100+ 54.27 грн
500+ 46.03 грн
1000+ 37.53 грн
2500+ 35.21 грн
5000+ 33.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
RFN5BGE6STL RFN5BGE6STL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5BGE6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній