RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 476 грн |
| 29+ | 403.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 157 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.
Інші пропозиції RGS30TSX2DGC11 за ціною від 245.11 грн до 555.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS30TSX2DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 157 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 41 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 267 W |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS30TSX2DGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Built-In FRD, Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS30TSX2DGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RGS30TSX2DGC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RGS30TSX2DGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |