RGS80TS65HRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGS80TS65HRC11 - IGBT-Einzeltransistor, 73A, 1.65V, 650V, TO-247N, 3 Pins
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 73A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 371.84 грн |
| 10+ | 246.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGS80TS65HRC11 ROHM
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns, Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 73 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 272 W.
Інші пропозиції RGS80TS65HRC11 за ціною від 209.24 грн до 447.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGS80TS65HRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 73A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/112ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 73 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 272 W |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RGS80TS65HRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 650V 40A Field Stop Trench IGBT. RGS80TS65HR is a highly reliable IGBT for automotive inverter, heater. |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|