RGSX5TS65EGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 643.1 грн |
| 10+ | 559.43 грн |
| 100+ | 463.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGSX5TS65EGC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RGSX5TS65EGC11 - IGBT, 114 A, 1.7 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 404W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 114A.
Інші пропозиції RGSX5TS65EGC11 за ціною від 461.25 грн до 693.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RGSX5TS65EGC11 | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RGSX5TS65EGC11 - IGBT, 114 A, 1.7 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 404W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 114A |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
RGSX5TS65EGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 8?s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT |
товар відсутній |