RGWX5TS65EHRC11 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 785.4 грн |
| 10+ | 710.14 грн |
| 25+ | 677.35 грн |
| 100+ | 545.94 грн |
| 450+ | 494.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RGWX5TS65EHRC11 ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Field Stop Trench Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RGWX5TS65EHRC11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| RGWX5TS65EHRC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 213 nC Current - Collector (Ic) (Max): 132 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 348 W |
товар відсутній |
||
 |
RGWX5TS65EHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive. |
товар відсутній |