RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 142.48 грн |
| 85+ | 137.05 грн |
| 100+ | 132.4 грн |
| 250+ | 123.8 грн |
| 500+ | 111.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJ1L08CGNTLL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 96W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA, Supplier Device Package: LPTL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V.
Інші пропозиції RJ1L08CGNTLL за ціною від 67.09 грн до 185.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJ1L08CGNTLL | Виробник : ROHM Semiconductor |
 MOSFET RJ1G08CGN is a power MOSFET with low-on resistance and High power small mold package, suitable for switching. |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJ1L08CGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJ1L08CGNTLL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V |
товар відсутній |