RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.88 грн |
| 6000+ | 5.53 грн |
| 9000+ | 4.9 грн |
| 30000+ | 4.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: UMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RJU003N03FRAT106 за ціною від 4.32 грн до 31.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RJU003N03FRAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJU003N03FRAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 300mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: UMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V |
на замовлення 35846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJU003N03FRAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 2.5V Drive N-Ch AEC-Q101 |
на замовлення 5604 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RJU003N03FRAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RJU003N03FRAT106 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 0.8 ohm, UMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: UMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RJU003N03FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
RJU003N03FRAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |