Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1101,LF(CT
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101-06.pdf Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції RN1101,LF(CT за ціною від 1.66 грн до 15.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1101-06.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 4509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.93 грн
32+ 8.79 грн
100+ 4.26 грн
500+ 3.33 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Виробник : Toshiba RN1101_datasheet_en_20210830-740910.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built- in Transistor
на замовлення 31839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.11 грн
31+ 10.08 грн
100+ 4.12 грн
1000+ 2.52 грн
3000+ 2.06 грн
9000+ 1.73 грн
24000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Виробник : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1101,LF(CT RN1101,LF(CT Виробник : Toshiba 101docget.jsppidrn1104langentypedatasheet.jsppidrn1104langentypedata.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товар відсутній