_SPL.jpg "RN2102MFV,L3XHF(CT")
RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.49 грн |
| 18+ | 17.8 грн |
| 100+ | 5.98 грн |
| 1000+ | 3.72 грн |
| 2500+ | 3.19 грн |
| 8000+ | 2.72 грн |
| 24000+ | 2.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2102MFV,L3XHF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723).
Інші пропозиції RN2102MFV,L3XHF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2102MFV,L3XHF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER= |
товар відсутній |
|
|
|
RN2102MFV,L3XHF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER= |
товар відсутній |