RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 481+ | 24.21 грн |
| 500+ | 23.34 грн |
| 1000+ | 22.58 грн |
| 2500+ | 21.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RQ6C065BCTCR за ціною від 15.71 грн до 56.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ6C065BCTCR | Виробник : ROHM |
 Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RQ6C065BCTCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RQ6C065BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.0149 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0149ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RQ6C065BCTCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -20V -6.5A Si MOSFET |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RQ6C065BCTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
RQ6C065BCTCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 10 V |
товар відсутній |