Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ6E035SPTR
RQ6E035SPTR

RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ6E035SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.68 грн
10+ 35.01 грн
100+ 24.25 грн
500+ 19.01 грн
1000+ 16.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E035SPTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RQ6E035SPTR за ціною від 14.02 грн до 45.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ6E035SPTR RQ6E035SPTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E035SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RQ6E035SP is the low on - resistance MOSFET, built-in G-S protection diode for switching application.
на замовлення 7118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.41 грн
10+ 38.96 грн
100+ 23.45 грн
500+ 19.6 грн
1000+ 16.67 грн
3000+ 14.81 грн
6000+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ6E035SPTR RQ6E035SPTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E035SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 10 V
товар відсутній