Продукція > ROHM > RQ6E050AJTCR
RQ6E050AJTCR

RQ6E050AJTCR ROHM

datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.96 грн
500+ 14.81 грн
1000+ 12.01 грн
3000+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RQ6E050AJTCR ROHM

Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції RQ6E050AJTCR за ціною від 10.22 грн до 49.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR Виробник : ROHM datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.026 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.48 грн
27+ 28.09 грн
100+ 17.96 грн
500+ 14.81 грн
1000+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.52 грн
10+ 33.14 грн
100+ 22.97 грн
500+ 18.01 грн
1000+ 15.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR Виробник : ROHM Semiconductor rq6e050ajtcr-e-1873215.pdf MOSFET RQ6E050AJ is small surface mount package MOSFET which is suitable for switching application.
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.6 грн
10+ 43.31 грн
100+ 28.9 грн
500+ 22.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
товар відсутній