Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRH090P03GZETB
RRH090P03GZETB

RRH090P03GZETB Rohm Semiconductor

rrh090p03tb1-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.66 грн
10+ 87.18 грн
100+ 67.8 грн
500+ 53.93 грн
1000+ 43.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRH090P03GZETB Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 650mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRH090P03GZETB за ціною від 39.92 грн до 111.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RRH090P03GZETB RRH090P03GZETB Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0001071246_1-2561369.pdf MOSFET -30V P-CHANNEL -9A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.6 грн
10+ 98.54 грн
100+ 67.09 грн
500+ 55.13 грн
1000+ 43.51 грн
2500+ 40.59 грн
5000+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
RRH090P03GZETB RRH090P03GZETB Виробник : Rohm Semiconductor rrh090p03tb1-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
товар відсутній