Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RRQ030P03HZGTR
RRQ030P03HZGTR

RRQ030P03HZGTR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RRQ030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.42 грн
10+ 40.27 грн
100+ 30.88 грн
500+ 22.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RRQ030P03HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RRQ030P03HZGTR за ціною від 15.08 грн до 48.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RRQ030P03HZGTR RRQ030P03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RRQ030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Pch -30V -3A Small Signal MOSFET
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.05 грн
10+ 41.79 грн
100+ 27.9 грн
500+ 22.05 грн
1000+ 18 грн
3000+ 16.01 грн
9000+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
RRQ030P03HZGTR RRQ030P03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RRQ030P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товар відсутній