RSC002P03T316 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSC002P03T316 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції RSC002P03T316 за ціною від 2.81 грн до 24.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RSC002P03T316 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSC002P03T316 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSC002P03T316 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 7531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSC002P03T316 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 250MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RSC002P03T316 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V -250mA SOT-23 |
на замовлення 11423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RSC002P03T316 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RSC002P03T316 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| RSC002P03T316 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RSC002P03T316 SMD P channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| RSC002P03T316 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |