Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RSD050N10TL
RSD050N10TL

RSD050N10TL Rohm Semiconductor

rsd050n10.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 7064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
356+32.75 грн
528+ 22.07 грн
530+ 21.97 грн
1000+ 20.9 грн
2500+ 19.26 грн
5000+ 18.32 грн
Мінімальне замовлення: 356
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSD050N10TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції RSD050N10TL за ціною від 26.04 грн до 76.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd050n10.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 20619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
284+41.07 грн
296+ 39.42 грн
500+ 37.99 грн
1000+ 35.45 грн
2500+ 31.85 грн
5000+ 29.75 грн
10000+ 29.03 грн
Мінімальне замовлення: 284
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : ROHM Semiconductor rsd050n10.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3P050SNTL1
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.41 грн
10+ 62.33 грн
100+ 42.11 грн
500+ 35.74 грн
1000+ 29.09 грн
2500+ 27.37 грн
5000+ 26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
RSD050N10TL rsd050n10.pdf
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd050n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товар відсутній
RSD050N10TL RSD050N10TL Виробник : Rohm Semiconductor rsd050n10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товар відсутній