RSQ015P10HZGTR

RSQ015P10HZGTR Rohm Semiconductor


rsq015p10hzgtr-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.67 грн
6000+ 17.95 грн
9000+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ015P10HZGTR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ015P10HZGTR за ціною від 19.96 грн до 54.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSQ015P10HZGTR RSQ015P10HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq015p10hzgtr-e.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.74 грн
10+ 43.18 грн
100+ 29.91 грн
500+ 23.45 грн
1000+ 19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSQ015P10HZGTR RSQ015P10HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq015p10hzgtr-e-1873307.pdf MOSFET -100V P-CHANNEL -1.5A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.48 грн
10+ 47.21 грн
100+ 31.49 грн
500+ 24.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSQ015P10HZGTR Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR rsq015p10hzgtr-e.pdf RSQ015P10HZGTR SMD P channel transistors
товар відсутній