Продукція > ROHM > RSQ045N03HZGTR
RSQ045N03HZGTR

RSQ045N03HZGTR ROHM

rsq045n03hzgtr-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.64 грн
500+ 25.32 грн
1000+ 19.86 грн
3000+ 17.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSQ045N03HZGTR ROHM

Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 950mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RSQ045N03HZGTR за ціною від 16.54 грн до 54.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RSQ045N03HZGTR RSQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq045n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.58 грн
10+ 41.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSQ045N03HZGTR RSQ045N03HZGTR Виробник : ROHM rsq045n03hzgtr-e.pdf Description: ROHM - RSQ045N03HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.027 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.15 грн
50+ 41.28 грн
100+ 32.34 грн
500+ 21.31 грн
1500+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
RSQ045N03HZGTR RSQ045N03HZGTR Виробник : ROHM Semiconductor rsq045n03hzgtr-e.pdf MOSFET Automotive Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET. RSQ045N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.09 грн
10+ 45.99 грн
100+ 28.23 грн
500+ 23.58 грн
1000+ 20.06 грн
3000+ 17.47 грн
6000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
RSQ045N03HZGTR RSQ045N03HZGTR Виробник : Rohm Semiconductor rsq045n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній