Продукція > ROHM > RV4C020ZPHZGTCR1
RV4C020ZPHZGTCR1

RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM

datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM
Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+17.29 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RV4C020ZPHZGTCR1 ROHM

Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.

Інші пропозиції RV4C020ZPHZGTCR1 за ціною від 9.39 грн до 51.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 Виробник : ROHM datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RV4C020ZPHZGTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.18 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.79 грн
28+ 27.5 грн
100+ 17.29 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET AECQ
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.75 грн
10+ 42.7 грн
100+ 25.71 грн
500+ 21.52 грн
1000+ 18.27 грн
3000+ 16.27 грн
6000+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.74 грн
10+ 43.87 грн
100+ 33.63 грн
500+ 24.95 грн
1000+ 19.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
RV4C020ZPHZGTCR1 RV4C020ZPHZGTCR1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RV4C020ZPHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -20V -2.0A SMALL SIGNAL MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-6W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 10 V
товар відсутній