RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V, 0V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RV5A040APTCR1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.044 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: DFN1616, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Інші пропозиції RV5A040APTCR1 за ціною від 15.97 грн до 64.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RV5A040APTCR1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RV5A040APTCR1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.044 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: DFN1616 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm |
на замовлення 1765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RV5A040APTCR1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 12V 4A DFN1616-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: DFN1616-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): -8V, 0V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RV5A040APTCR1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET PCH -12V -4.0A MOSFET |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|