Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RW4E045AJTCL1
RW4E045AJTCL1

RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor

rw4e045ajtcl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.17 грн
10+ 59.78 грн
100+ 46.53 грн
500+ 37.01 грн
1000+ 30.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor

Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN1616-7T, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції RW4E045AJTCL1 за ціною від 44.04 грн до 89.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RW4E045AJTCL1 RW4E045AJTCL1 Виробник : ROHM Semiconductor rw4e045ajtcl-e.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.12 грн
10+ 78.68 грн
100+ 53.27 грн
500+ 44.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
RW4E045AJTCL1 RW4E045AJTCL1 Виробник : Rohm Semiconductor rw4e045ajtcl-e.pdf Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товар відсутній