Продукція > ROHM > RZR040P01TL
RZR040P01TL

RZR040P01TL ROHM

ROHM-S-A0008995803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.19 грн
27+ 28.17 грн
100+ 23.32 грн
500+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 24
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RZR040P01TL ROHM

Description: ROHM - RZR040P01TL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції RZR040P01TL за ціною від 18.51 грн до 47.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RZR040P01TL RZR040P01TL Виробник : Rohm Semiconductor RSR025N03TL_1.jpg Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.42 грн
10+ 40.06 грн
100+ 27.73 грн
500+ 21.75 грн
1000+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
RZR040P01TL RZR040P01TL Виробник : ROHM Semiconductor rzr040p01-e-1139194.pdf MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
RZR040P01TL RZR040P01TL Виробник : Rohm Semiconductor RSR025N03TL_1.jpg Description: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 6 V
товар відсутній