на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 1.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис S1J M2G Taiwan Semiconductor
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A, Type of diode: rectifying, Mounting: SMD, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 1A, Reverse recovery time: 1.5µs, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: glass passivated, Capacitance: 12pF, Case: SMA, Max. forward voltage: 1.1V, Max. forward impulse current: 40A, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції S1J M2G за ціною від 2.03 грн до 2.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1J M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Diode Switching 600V 1A 2-Pin SMA |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
S1J M2G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 12pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
S1J M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
товар відсутній |
||||||
S1J M2G | Виробник : Taiwan Semiconductor | Rectifiers Diode, 1A, 600V |
товар відсутній |
||||||
S1J M2G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.5us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.5µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 12pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |