S4PMHM3_A/H

S4PMHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division


s4pm.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.49 грн
10+ 28.58 грн
100+ 19.88 грн
500+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S4PMHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Last Time Buy, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції S4PMHM3_A/H за ціною від 9.7 грн до 38.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
S4PMHM3_A/H S4PMHM3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor s4pm.pdf Rectifiers 4A, 1000V, SMPC STD, SM Rect
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.21 грн
10+ 32.16 грн
100+ 19.53 грн
500+ 15.21 грн
1000+ 12.36 грн
1500+ 11.03 грн
9000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
S4PMHM3_A/H S4PMHM3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній