Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > S5MS-E3/9AT
S5MS-E3/9AT

S5MS-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

s5ms.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.6A DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.6A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
12+ 23.39 грн
100+ 14.06 грн
500+ 12.21 грн
1000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S5MS-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.6A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.6A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції S5MS-E3/9AT за ціною від 8.83 грн до 34.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
S5MS-E3/9AT S5MS-E3/9AT Виробник : Vishay General Semiconductor s5ms.pdf Rectifiers 5A,1000V,STD GPP SMC Photovoltaic solar
на замовлення 16901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.56 грн
12+ 26.28 грн
100+ 13.75 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
S5MS-E3/9AT S5MS-E3/9AT Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division s5ms.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1.6A DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.6A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній