SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 352.02 грн |
| 35+ | 336.9 грн |
| 50+ | 324.06 грн |
| 100+ | 301.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT2H12NZGC11 Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA, Supplier Device Package: TO-3PFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V.
Інші пропозиції SCT2H12NZGC11 за ціною від 229.83 грн до 518.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SCT2H12NZGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT2H12NZGC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT2H12NZGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM Packaging: Tube Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 18V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 900µA Supplier Device Package: TO-3PFM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -6V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 184 pF @ 800 V |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SCT2H12NZGC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm |
на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SCT2H12NZGC11 Код товару: 194772 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| SCT2H12NZGC11 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SCT2H12NZGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 9.2A Power dissipation: 35W Case: TO3PFM Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SCT2H12NZGC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.7A; Idm: 9.2A; 35W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 3.7A Pulsed drain current: 9.2A Power dissipation: 35W Case: TO3PFM Gate-source voltage: -6...22V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |