SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8463.78 грн |
| 30+ | 7269.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 427W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 427W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SCT3022KLHRC11 за ціною від 6853.15 грн до 9288.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SCT3022KLHRC11 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SCT3022KLHRC11 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SCT3022KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247N tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 95A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 427W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SCT3022KLHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Mounting: THT On-state resistance: 28.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 427W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 237A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A кількість в упаковці: 30 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| SCT3022KLHRC11 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 95A; Idm: 237A; 427W Mounting: THT On-state resistance: 28.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 427W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 178nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -4...22V Pulsed drain current: 237A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 95A |
товар відсутній |