SCT3060ALGC11

SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor


datasheet?p=SCT3060AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
на замовлення 1623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+833.87 грн
10+ 783.76 грн
30+ 680.86 грн
60+ 627.06 грн
120+ 604.47 грн
270+ 571.93 грн
510+ 534.06 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 165W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 165W, Bauform - Transistor: TO-247N, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SCT3060ALGC11 за ціною від 664.11 грн до 1056.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SCT3060ALGC11 SCT3060ALGC11 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3060AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+905.37 грн
30+ 705.61 грн
120+ 664.11 грн
SCT3060ALGC11 SCT3060ALGC11 Виробник : ROHM ROHM-S-A0002906003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - SCT3060ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 39A, 650V, 0.06 Ohm, 18V, 5.6V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 165W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1056.64 грн
5+ 998.52 грн
10+ 940.39 грн
50+ 805.41 грн
100+ 680.23 грн
SCT3060ALGC11 Виробник : ROHM - Japan datasheet?p=SCT3060AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SiC-N-Ch 650V 39A 165W 0,078R TO247 SCT3060ALGC11 : Rohm SCT3060ALGC11 TSCT3060algc11
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+1045.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SCT3060ALGC11 SCT3060ALGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3060AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SCT3060ALGC11 SCT3060ALGC11 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=SCT3060AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; 165W; TO247
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Case: TO247
товар відсутній