SEMIX101GD12E4S 27890195 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMIX®13
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: SEMIX®13
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX101GD12E4S 27890195 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT three-phase bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: SEMIX®13, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX101GD12E4S 27890195
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX101GD12E4S 27890195 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SEMIX®13 |
товар відсутній |