SEMIX186DGL16P 27896200 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: SEMiX® 6p
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.6kV
Case: SEMiX® 6p
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX186DGL16P 27896200 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.6kV, Case: SEMiX® 6p, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX186DGL16P 27896200
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX186DGL16P 27896200 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.6kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.6kV Case: SEMiX® 6p |
товар відсутній |