SEMIX302GAL17E4S 27892120 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SEMIX2S
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: SEMIX2S
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX302GAL17E4S 27892120 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.7kV, Case: SEMIX2S, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX302GAL17E4S 27892120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX302GAL17E4S 27892120 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.7kV Case: SEMIX2S |
товар відсутній |