SEMIX302GB12E4S 27890120 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S
Case: SEMIX2S
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S
Case: SEMIX2S
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX302GB12E4S 27890120 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S, Case: SEMIX2S, Max. off-state voltage: 1.2kV, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX302GB12E4S 27890120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX302GB12E4S 27890120 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMIX2S Case: SEMIX2S Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge |
товар відсутній |