SEMIX603GB12M7P 27895100 SEMIKRON DANFOSS
Виробник: SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMiX® 3p
Case: SEMiX® 3p
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMiX® 3p
Case: SEMiX® 3p
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SEMIX603GB12M7P 27895100 SEMIKRON DANFOSS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMiX® 3p, Case: SEMiX® 3p, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Type of module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SEMIX603GB12M7P 27895100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SEMIX603GB12M7P 27895100 | Виробник : SEMIKRON DANFOSS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; SEMiX® 3p Case: SEMiX® 3p Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge |
товар відсутній |