на замовлення 17894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.51 грн |
| 10+ | 47.36 грн |
| 100+ | 26.97 грн |
| 500+ | 26.17 грн |
| 1000+ | 21.32 грн |
| 2000+ | 18.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SFH 2505 FA ams OSRAM
Category: Photodiodes, Description: PIN IR photodiode; 4.8mm; THT; 900nm; 750÷1100nm; 15°; 0.1nA; 100mW, Mounting: THT, Turn-on time: 5ns, Turn-off time: 5ns, Max. off-state voltage: 50V, Wavelength: 750...1100nm, Viewing angle: 15°, Type of photoelement: PIN IR photodiode, Dark current: 0.1nA, Wavelength of peak sensitivity: 900nm, Active area: 1mm2, Optical power: 100mW, LED diameter: 4.8mm, кількість в упаковці: 4000 шт.
Інші пропозиції SFH 2505 FA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SFH 2505 FA | Виробник : OSRAM Opto Semiconductors |
 Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin T-1 3/4 T/R |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
SFH 2505 FA | Виробник : OSRAM Opto Semiconductors |
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin T-1 3/4 T/R |
на замовлення 71000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
SFH 2505 FA | Виробник : ams-OSRAM |
Photodiode PIN Chip 900nm 2-Pin T-1 3/4 T/R |
товар відсутній |
|
 |
SFH 2505 FA | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; 4.8mm; THT; 900nm; 750÷1100nm; 15°; 0.1nA; 100mW Mounting: THT Turn-on time: 5ns Turn-off time: 5ns Max. off-state voltage: 50V Wavelength: 750...1100nm Viewing angle: 15° Type of photoelement: PIN IR photodiode Dark current: 0.1nA Wavelength of peak sensitivity: 900nm Active area: 1mm2 Optical power: 100mW LED diameter: 4.8mm кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SFH 2505 FA | Виробник : ams OSRAM |
Category: Photodiodes Description: PIN IR photodiode; 4.8mm; THT; 900nm; 750÷1100nm; 15°; 0.1nA; 100mW Mounting: THT Turn-on time: 5ns Turn-off time: 5ns Max. off-state voltage: 50V Wavelength: 750...1100nm Viewing angle: 15° Type of photoelement: PIN IR photodiode Dark current: 0.1nA Wavelength of peak sensitivity: 900nm Active area: 1mm2 Optical power: 100mW LED diameter: 4.8mm |
товар відсутній |