SFT1423-E

SFT1423-E onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 20W (Tc)
Supplier Device Package: IPAK/TP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
701+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 701
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SFT1423-E onsemi

Description: MOSFET N-CH 500V 2A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 20W (Tc), Supplier Device Package: IPAK/TP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SFT1423-E за ціною від 40.98 грн до 40.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SFT1423-E Виробник : ONSEMI ONSMS35746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SFT1423-E - SFT1423-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SFT1423-E SFT1423-E Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 500V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 20W (Tc)
Supplier Device Package: IPAK/TP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 30 V
товар відсутній