SGD02N60 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 36µJ (on), 28µJ (off)
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 465+ | 42.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SGD02N60 Infineon Technologies
Description: IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns, Switching Energy: 36µJ (on), 28µJ (off), Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V, Gate Charge: 14 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції SGD02N60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SGD02N60 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
SGD02N60 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 2A |
товар відсутній |