Продукція > STMICROELECTRONICS > SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS

sh63n65dm6ag.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.056 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+1570.8 грн
50+ 1420.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH63N65DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.056 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 424W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції SH63N65DM6AG за ціною від 1420.54 грн до 1897.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH63N65DM6AG SH63N65DM6AG Виробник : STMICROELECTRONICS sh63n65dm6ag.pdf Description: STMICROELECTRONICS - SH63N65DM6AG - Dual-MOSFET, AQG 324, Zweifach n-Kanal, 650 V, 53 A, 0.056 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 53A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 650V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ACEPACK SMIT
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 424W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1758.58 грн
5+ 1674.38 грн
10+ 1570.8 грн
50+ 1420.54 грн
SH63N65DM6AG SH63N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sh63n65dm6ag.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1897.12 грн
10+ 1661.48 грн
SH63N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sh63n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 424W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1746.07 грн
10+ 1494.1 грн
SH63N65DM6AG Виробник : STMicroelectronics sh63n65dm6ag.pdf Description: MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerSMD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 424W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344pF @ 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: 9-ACEPACK SMIT
товар відсутній