на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 326+ | 35.73 грн |
| 347+ | 33.65 грн |
| 355+ | 32.85 грн |
| 500+ | 30.73 грн |
| 1000+ | 28.18 грн |
| 2500+ | 25.53 грн |
| 5000+ | 25.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8J62TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SH8J62TB1 за ціною від 32.02 грн до 112.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8J62TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J62TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J62TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J62TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8J62TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J62TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 13937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8J62TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET |
на замовлення 4528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J62TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8J62TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8J62TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SH8J62TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -18A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 84mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |