SH8J66TB1 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 80.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SH8J66TB1 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung, p-Kanal: 2, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SH8J66TB1 за ціною від 67.09 грн до 205.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SH8J66TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J66TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8J66TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 2 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135 productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J66TB1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 7233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8J66TB1 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch+Pch -30V -9A MOSFET |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8J66TB1 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - SH8J66TB1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0135 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9 Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0135 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung, p-Kanal: 2 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0135 productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2 Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SH8J66TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SH8J66TB1 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -9A; Idm: -36A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |