Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > SH8M51GZETB
SH8M51GZETB

SH8M51GZETB ROHM Semiconductor

sh8m51gzetb-e.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET. SH8M51 is a Power MOSFET with Low on-resistance, suitable for switching.
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.02 грн
10+ 94.72 грн
100+ 63.64 грн
500+ 54.27 грн
1000+ 44.24 грн
2500+ 41.65 грн
5000+ 39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SH8M51GZETB ROHM Semiconductor

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100/-100V, Drain current: 3/-2.5A, Pulsed drain current: 10...12A, Power dissipation: 2W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 190/340mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 8.5/12.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.

Інші пропозиції SH8M51GZETB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SH8M51GZETB SH8M51GZETB Виробник : Rohm Semiconductor sh8m51gzetb-e.pdf Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8M51GZETB SH8M51GZETB Виробник : Rohm Semiconductor sh8m51gzetb-e.pdf Description: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SH8M51GZETB SH8M51GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sh8m51gzetb-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 3/-2.5A
Pulsed drain current: 10...12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190/340mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5/12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SH8M51GZETB SH8M51GZETB Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR sh8m51gzetb-e.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 3/-2.5A; Idm: 10÷12A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 3/-2.5A
Pulsed drain current: 10...12A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190/340mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5/12.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній